| 专利名称: |
光强度调节的场效应晶体管及其制备方法 |
| 专利名称英文: |
Fabrication way of field-effect transistors controlled by light intensity |
| 专利类别: |
发明专利 |
| 申请号: |
200410101837.1 |
| 专利号: |
200410101837.1 |
| 申请日期: |
2004-12-27 |
| 第一发明人: |
刘云圻 |
| 第一发明人英文: |
Liu Yun Qi |
| 其他发明人: |
肖恺 孙艳明 胡平安 翟锦 于贵 胡文平 江雷 朱道本 |
| 其他发明人英文: |
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 国外申请方式英文: |
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| 专利授权日期: |
2008-3-12 |
| 缴费情况: |
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| 缴费情况英文: |
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| 实施情况: |
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| 实施情况英文: |
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| 其他备注: |
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| 其他备注英文: |
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
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| 专利摘要英文: |
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| 国外授权日期: |
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